MicronИллюстрация
Micron 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: MT18KSF1G72AZ-1G4E1Z
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
Серверная оперативная память
ECC и Registered ECC, DDR3–DDR5. Поиск по артикулу и характеристикам. Совместимость с вашим сервером проверим перед заказом.
10 367найдено позиций
Оперативная память
10 367 позиций · страница 429 из 432
Цены с пометкой «от» — ориентировочные. Точную стоимость и срок поставки подтвердим перед заказом. Для комплектов указана цена за весь комплект.
MicronИллюстрация
Micron 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: MT18KSF1G72AZ-1G4E1ZE
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
MicronИллюстрация
Micron 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: MT18KSF1G72AZ-1G4E1ZF
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
MicronИллюстрация
Micron 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: MT8GU18H5128-33-SPXX
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.5 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M390B1G73BH0-1333
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.5 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M390B1G73BH0-YH9
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M391B1G738HO-YH9
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M391B1G73AH0
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M391B1G73AH0-CH9
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.5 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M391B1G73AH0-YH9
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M391B1G73AH0-YH900
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M391B1G73BH0-CH9
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.5 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M391B1G73BH0-CH900
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.5 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M391B1G73BH0-YH9
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M391B1G73BHO-YH9
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M391B1G73BHO-YK0
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: M3931G73BH0-CH9
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.5 В
- Контакты
- 240
SamsungИллюстрация
Samsung 8 ГБ DDR3-1333 ECC UDIMMАртикул: SAMSUNG/3RD-13294
- Скорость
- 1333 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.5 В
- Контакты
- 240
DellИллюстрация
Dell 8 ГБ DDR3-1066 ECC UDIMMАртикул: 030WGV
- Скорость
- 1066 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.5 В
- Контакты
- 240
DellИллюстрация
Dell 8 ГБ DDR3-1066 ECC UDIMMАртикул: 30WGV
- Скорость
- 1066 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.5 В
- Контакты
- 240
HynixИллюстрация
Hynix 8 ГБ DDR3-1066 ECC UDIMMАртикул: HMT41GU7AFR8A-G7
- Скорость
- 1066 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
HynixИллюстрация
Hynix 8 ГБ DDR3-1066 ECC UDIMMАртикул: HMT41GU7AFR8A-G7T0
- Скорость
- 1066 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240
HynixИллюстрация
Hynix 8 ГБ DDR3-1066 ECC UDIMMАртикул: HMT41GU7AFR8C-G7
- Скорость
- 1066 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.5 В
- Контакты
- 240
HynixИллюстрация
Hynix 8 ГБ DDR3-1066 ECC UDIMMАртикул: HMT41GU7BFR8A-G7
- Скорость
- 1066 MT/s
- Ранг
- Rank 2
- Напряжение
- 1.35 В
- Контакты
- 240